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相對于體材料來講，在制備薄膜材料時(shí)，比較容易獲得非晶態(tài)結(jié)構(gòu)。這是因?yàn)楸∧ぶ苽浞椒梢员容^容易地造成非晶態(tài)結(jié)構(gòu)的外界條件，即較高的過冷度和低的原子擴(kuò)散能力，這兩個(gè)條件也正是提高相變過程的過冷度，抑制原子擴(kuò)散，從而形成非晶態(tài)結(jié)構(gòu)的條件?？梢酝ㄟ^降低基片溫度、引入反應(yīng)性氣體和摻雜方法實(shí)現(xiàn)上述條件。例如，對于硫化物和鹵化物薄膜在基片溫度低于77K時(shí)可形成無定形薄膜。有些氧化物薄膜，基片溫度在室溫時(shí)都有形成無定形薄膜的趨向。引入反應(yīng)性氣體的實(shí)例是在10ˉ2 Pa- 10ˉ3 Pa氧分壓中蒸發(fā)鋁、稼、銦和錫等薄膜，由于氧化層阻擋了晶粒生長而形成無定形薄膜。在83%ZrO2一17%SiO2和67%ZrO2一33%MgO的摻雜薄膜中，由于兩種沉積原子尺寸的不同也可形成無定形薄膜。